InAs QDs on InP : Polarization insensitive SOA and non-radiative Auger processes - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Optical and Quantum Electronics Année : 2008

InAs QDs on InP : Polarization insensitive SOA and non-radiative Auger processes

Résumé

An efficient mechanical and electronic axial approximation of the strained 8x8 Hamiltonian is proposed for zinc-blende nanostructures with a cylindrical shape on (100) substrates. Vertically stacked InAs/InP columnar quantum dots (CQDs) for polarization insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) in telecommunications applications are studied theoretically. Non-radiative Auger processes in InAs/InP quantum dots (QDs) are also investigated. It is shown that a multiband approach is necessary in both cases.

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Optique / photonique
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Soumis le : mardi 15 juin 2010-16:46:57

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Archivage à long terme le : mercredi 15 septembre 2010-20:39:52

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hal-00492357 , version 1 (15-06-2010)

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Citer

Jacky Even, Laurent Pedesseau, François Doré, Soline Richard. InAs QDs on InP : Polarization insensitive SOA and non-radiative Auger processes. Optical and Quantum Electronics, 2008, 40 (14-15), pp.1233. ⟨10.1007/s11082-008-9258-x⟩. ⟨hal-00492357⟩

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