Influence of the number of quantum dots stacks on the threshold current density of 1.55 µm InAs/InP(311)B semiconductor lasers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Influence of the number of quantum dots stacks on the threshold current density of 1.55 µm InAs/InP(311)B semiconductor lasers

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00491806

Soumis le : lundi 14 juin 2010-14:20:32

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00491806 , version 1 (14-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00491806 , version 1

Citer

Estelle Homeyer, Rozenn Piron, Frederic Grillot, Jacky Even, Cyril Paranthoen, et al.. Influence of the number of quantum dots stacks on the threshold current density of 1.55 µm InAs/InP(311)B semiconductor lasers. ESLW 2006 (European Semiconductor Laser Workshop), Sep 2006, Nice, France. pp.1. ⟨hal-00491806⟩

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