Toward a light-emitter on Si: Growth of InAs and InP nanostructure on GaP substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Toward a light-emitter on Si: Growth of InAs and InP nanostructure on GaP substrate

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00491776

Soumis le : lundi 14 juin 2010-13:40:13

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00491776 , version 1 (14-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00491776 , version 1

Citer

Weiming Guo, Alexandre Bondi, Bassem Alsahwa, Charles Cornet, Antoine Létoublon, et al.. Toward a light-emitter on Si: Growth of InAs and InP nanostructure on GaP substrate. (International Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications), Jul 2008, Rennes, France. pp.1. ⟨hal-00491776⟩

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