Étude de dispositifs optiques à microcavité verticale pour une émission laser polarisée
Résumé
Dans ce travail nous rapportons la réalisation d'un VCSEL dont la zone active est à base de puits quantiques InGaAs/InGaAsP en accord de maille sur InP. L'utilisation de cette zone active avec deux miroirs diélectriques en silicium amorphe et nitrure de silicium a permis d'obtenir un VCSEL fonctionnant à 1.55 µm en pompage optique et à température ambiante. La croissance de nouvelles structures quantiques, se présentant sous forme de fils, a été réalisée en épitaxie par jets moléculaires. L'étude de ces structures quantiques semble indiquer des propriétés intéressantes pour obtenir un VCSEL stable en polarisation.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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