Asymmetric Stark Shift in InAs/GaAsP(Q1.18) quantum dots grown on (311)B InP substrate

We present photocurrent (PC) spectroscopy of InAs/InGaAsP (Q1.18) quantum dots (QD) embedded in a PIN diode grown on InP(311)B substrate. From 300K and 77K spectra we deduce the transition energies for ground state of the dots. These energies are sensitive to applied bias and reveal an asymmetric quantum-confined Stark shift (QCSS) attributed to the presence of a strain-induced field in the dots.

Domaines

Optique / photonique

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photocourant_SQDA2008.pdf (109.05 Ko)

Origine	Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Jean-Philippe Burin : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00490418

Soumis le : mardi 8 juin 2010-15:09:00

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Archivage à long terme le : vendredi 17 septembre 2010-13:20:55

Dates et versions

hal-00490418 , version 1 (08-06-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00490418 , version 1

Citer

Jean-Philippe Burin, Nour Nasser, Soline Richard, Nicolas Chevalier, Karine Tavernier. Asymmetric Stark Shift in InAs/GaAsP(Q1.18) quantum dots grown on (311)B InP substrate. SQDA (International Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications), Jul 2008, Rennes, France. ⟨hal-00490418⟩

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