Study of InAs/InP(311)B stacked quantum dots for laser emission at 1.55 µm - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Study of InAs/InP(311)B stacked quantum dots for laser emission at 1.55 µm

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486711 , version 1 (26-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486711 , version 1

Citer

Antoine Létoublon, Philippe Caroff, Nicolas Bertru, Olivier Dehaese, Tony Rohel, et al.. Study of InAs/InP(311)B stacked quantum dots for laser emission at 1.55 µm. 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Mar 2007, Sierra Nevada, Spain. pp.A. Letoublon. ⟨hal-00486711⟩
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