Etch mechanisms of SiOC and selectivity to SiO2 and SiC in fluoro carbon based Plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486345 , version 1 (25-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486345 , version 1

Citer

B. Pelissier, C. Durand, Corentin Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier, et al.. Etch mechanisms of SiOC and selectivity to SiO2 and SiC in fluoro carbon based Plasmas. 49th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2002, Denver, United States. ⟨hal-00486345⟩
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