Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2007

Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy

J.-M. Ulloa
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 871245
Cobra
Paul Koenraad
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 871246
Cobra
E. Gapihan
  • Fonction : Auteur
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Antoine Letoublon
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Nicolas Bertru
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00485907

Soumis le : samedi 22 mai 2010-19:46:06

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Consulter le texte intégral

Dates et versions

hal-00485907 , version 1 (22-05-2010)

Identifiants

Citer

J.-M. Ulloa, Paul Koenraad, E. Gapihan, Antoine Letoublon, Nicolas Bertru. Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy. Applied Physics Letters, 2007, 91 (7), pp.073106. ⟨10.1063/1.2771063⟩. ⟨hal-00485907⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-RENNES1 CNRS INSA-RENNES FOTON FOTON-INSA FOTON_OHM UR1-MATH-STIC UNIV-RENNES INSA-GROUPE UR1-MATH-NUM
59 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More