Improvement of 1.55 µm InAs QD laser using vicinal (001)InP substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Improvement of 1.55 µm InAs QD laser using vicinal (001)InP substrate

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00485799

Soumis le : vendredi 21 mai 2010-17:46:03

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00485799 , version 1 (21-05-2010)

Identifiants

Citer

Georges Elias, Antoine Letoublon, Rozenn Piron, Ibrahim Alghoraibi, Karine Tavernier, et al.. Improvement of 1.55 µm InAs QD laser using vicinal (001)InP substrate. IPRM, Indium Phosphide & Related Materials, May 2009, Newportbeach, United States. pp.41 - 44, ⟨10.1109/ICIPRM.2009.5012422⟩. ⟨hal-00485799⟩

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