Achievement of High Density InAs/GaInAsP Quantum Dots on Misoriented InP(001) Substrates Emitting at 1.55 μm - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics, part 1 : Regular papers, Short Notes Année : 2009

Achievement of High Density InAs/GaInAsP Quantum Dots on Misoriented InP(001) Substrates Emitting at 1.55 μm

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00485726

Soumis le : vendredi 21 mai 2010-15:52:32

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

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Dates et versions

hal-00485726 , version 1 (21-05-2010)

Identifiants

Citer

Georges Elias, Antoine Letoublon, Rozenn Piron, Ibrahim Alghoraibi, Abdulhadi Nakkar, et al.. Achievement of High Density InAs/GaInAsP Quantum Dots on Misoriented InP(001) Substrates Emitting at 1.55 μm. Japanese Journal of Applied Physics, part 1 : Regular papers, Short Notes, 2009, 48 (7), pp.70204. ⟨10.1143/JJAP.48.070204⟩. ⟨hal-00485726⟩

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