Ultra-low threshold current density 1.55 µm InAs quantum dot lasers grown on InP - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Ultra-low threshold current density 1.55 µm InAs quantum dot lasers grown on InP

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00485693

Soumis le : vendredi 21 mai 2010-15:03:28

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00485693 , version 1 (21-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00485693 , version 1

Citer

Philippe Caroff, Estelle Homeyer, Cyril Paranthoën, Rozenn Piron, Frederic Grillot, et al.. Ultra-low threshold current density 1.55 µm InAs quantum dot lasers grown on InP. International Workshop on Semiconductor Quantum Dot based Devices and Applications (IWSQDA), 2006, Paris, France. ⟨hal-00485693⟩

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