A new memory concept: the Nano-Multiple-Tunnel-Junction memory with embedded Si nano-crystals - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

A new memory concept: the Nano-Multiple-Tunnel-Junction memory with embedded Si nano-crystals

D. Deleruyelle
CV
C. Leroyer
CV
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
G. Lecarval
  • Fonction : Auteur
M. Gely
  • Fonction : Auteur
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Jean-Luc Autran
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00485182

Soumis le : jeudi 20 mai 2010-11:31:02

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:38:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00485182 , version 1 (20-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00485182 , version 1

Citer

D. Deleruyelle, C. Leroyer, B. de Salvo, G. Lecarval, M. Gely, et al.. A new memory concept: the Nano-Multiple-Tunnel-Junction memory with embedded Si nano-crystals. Silicon Nanoelectronics Workshop, 2002, Honolulu, United States. pp.Volume 72, Issues 1-4, Pages 399-404. ⟨hal-00485182⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS FMNT LTM NANOMATERIALS
37 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More