Electrical characterization of memory cell structures using multiple tunnels junctions with embedded Si nanocrystals - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Electrical characterization of memory cell structures using multiple tunnels junctions with embedded Si nanocrystals

D. Deleruyelle
CV
D. Fraboulet
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
N. Buffet
  • Fonction : Auteur
D. Mariolle
  • Fonction : Auteur
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Jean-Luc Autran
B. Guillaumot
  • Fonction : Auteur

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00484534

Soumis le : mardi 18 mai 2010-15:30:49

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:31:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00484534 , version 1 (18-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00484534 , version 1

Citer

D. Deleruyelle, D. Fraboulet, B. de Salvo, N. Buffet, D. Mariolle, et al.. Electrical characterization of memory cell structures using multiple tunnels junctions with embedded Si nanocrystals. Silicon Nano-electronics Workshop 2002, 2002, Honolulu, United States. ⟨hal-00484534⟩

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