Tuner intégré sur silicium pour l'extraction des paramètres de bruit sous pointes en bande millimétrique (60~110GHz) pour les technologies SiGeC HBT et MOSFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Tuner intégré sur silicium pour l'extraction des paramètres de bruit sous pointes en bande millimétrique (60~110GHz) pour les technologies SiGeC HBT et MOSFET

Y. Tagro
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00480322 , version 1 (04-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00480322 , version 1

Citer

Y. Tagro, D. Gloria, Gilles Dambrine. Tuner intégré sur silicium pour l'extraction des paramètres de bruit sous pointes en bande millimétrique (60~110GHz) pour les technologies SiGeC HBT et MOSFET. 16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-11, 1-4. ⟨hal-00480322⟩
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