Potentialités de la technologie CMOS 65nm sur substrat SOI haute résistivité pour les applications millimétriques : amplificateur faible bruit et antenne intégrés sur un même substrat - Archive ouverte HAL Access content directly
Conference Papers Year : 2009

Potentialités de la technologie CMOS 65nm sur substrat SOI haute résistivité pour les applications millimétriques : amplificateur faible bruit et antenne intégrés sur un même substrat

R. Pilard
  • Function : Author
D. Gloria
  • Function : Author
Christian Person
François Le Pennec
F. Gianesello
  • Function : Author
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Dates and versions

hal-00480319 , version 1 (04-05-2010)

Identifiers

  • HAL Id : hal-00480319 , version 1

Cite

R. Pilard, D. Gloria, Christian Person, François Le Pennec, F. Gianesello, et al.. Potentialités de la technologie CMOS 65nm sur substrat SOI haute résistivité pour les applications millimétriques : amplificateur faible bruit et antenne intégrés sur un même substrat. 16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.2E-1, 1-4. ⟨hal-00480319⟩
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