Study of trap centres in silicon nanocrystal memories - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering Année : 2003

Study of trap centres in silicon nanocrystal memories

A. Souifi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de physique de la matière
P. Brounkov
  • Fonction : Auteur
S. Bernardini
CV
C. Busseret
  • Fonction : Auteur
L. Militaru
  • Fonction : Auteur
G. Guillot
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique

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https://hal.science/hal-00477192

Soumis le : mercredi 28 avril 2010-13:39:47

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:22:55

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00477192 , version 1 (28-04-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00477192 , version 1

Citer

A. Souifi, P. Brounkov, S. Bernardini, C. Busseret, L. Militaru, et al.. Study of trap centres in silicon nanocrystal memories. Materials Science and Engineering, 2003, pp.B, Volume 102, Issues 1-3, 15 Pages 99-107. ⟨hal-00477192⟩

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