Reactive ion etching of SiC in SF6 gas: detection of CF, CF2 and SiF2 etch products - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2001

Reactive ion etching of SiC in SF6 gas: detection of CF, CF2 and SiF2 etch products

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Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00475792

Soumis le : vendredi 23 avril 2010-09:31:25

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-00475792 , version 1 (23-04-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00475792 , version 1

Citer

Pascal Chabert, G. Cunge, Jean-Paul Booth. Reactive ion etching of SiC in SF6 gas: detection of CF, CF2 and SiF2 etch products. Applied Physics Letters, 2001, pp.79, 916. ⟨hal-00475792⟩

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