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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Improvement of the RF power performance of nLDMOSFETs on bulk and SOI substrates with 'ribbon' gate and source contacts layouts

D. Fournier
  • Fonction : Auteur
Julien Fontaine
  • Fonction : Auteur
P. Scheer
  • Fonction : Auteur
O. Bon
  • Fonction : Auteur
B. Rauber
  • Fonction : Auteur
M. Buczko
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00474496 , version 1 (20-04-2010)

Identifiants

Citer

D. Fournier, D. Ducatteau, Julien Fontaine, P. Scheer, O. Bon, et al.. Improvement of the RF power performance of nLDMOSFETs on bulk and SOI substrates with 'ribbon' gate and source contacts layouts. 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09, 2009, Spain. pp.116-119, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158015⟩. ⟨hal-00474496⟩
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