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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures

G. Moschetti
  • Fonction : Auteur
P.A. Nilsson
  • Fonction : Auteur
N. Wadefalk
  • Fonction : Auteur
M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
J. Grahn
  • Fonction : Auteur
Yannick Roelens
A. Noudeviwa
  • Fonction : Auteur
A. Olivier
  • Fonction : Auteur
S. Bollaert
Francois Danneville
L. Desplanque
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00474100 , version 1 (19-04-2010)

Identifiants

Citer

G. Moschetti, P.A. Nilsson, N. Wadefalk, M. Malmkvist, E. Lefebvre, et al.. DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures. 21st IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'09, 2009, United States. pp.323-325, ⟨10.1109/ICIPRM.2009.5012506⟩. ⟨hal-00474100⟩
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