InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue International Journal of High Speed Electronics and Systems Année : 2009

InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide

M. Alomari
  • Fonction : Auteur
F Medjdoub
E. Kohn
  • Fonction : Auteur
M.A. Di Forte-Poisson
  • Fonction : Auteur
S. Delage
  • Fonction : Auteur
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00473433

Soumis le : jeudi 15 avril 2010-11:36:23

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00473433 , version 1 (15-04-2010)

Identifiants

Citer

M. Alomari, F Medjdoub, E. Kohn, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, et al.. InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide. International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2009, 19, pp.137-144. ⟨10.1142/S0129156409006187⟩. ⟨hal-00473433⟩

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