Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00473429
Soumis le : jeudi 15 avril 2010-11:35:53
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Vandenbrouck, K. Madjour, D. Theron, Y.J. Dong, Y. Li, et al.. 12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.322-324. ⟨10.1109/LED.2009.2014791⟩. ⟨hal-00473429⟩
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