AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2009

AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates

N. Defrance
Virginie Hoel
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
Michel Rousseau
M.A. Di Forte-Poisson
  • Fonction : Auteur
J. Thorpe
  • Fonction : Auteur
H. Lahreche
  • Fonction : Auteur
R. Langer
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00473428 , version 1 (15-04-2010)

Identifiants

Citer

N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, et al.. AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.596-598. ⟨10.1109/LED.2009.2019972⟩. ⟨hal-00473428⟩
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