Optimisation d'une antenne SIP en technologie BiCMOS 130nm à 79GHz pour un capteur radar à courte portée
Résumé
Dans cet article, nous présentons et étudions une
antenne intégrée sur la base dune technologie BiCMOS 130nm, par couplage avec une structure rayonnante réalisée sur substrat polymère (circuit imprimé PCB). Cette solution type SIP (System In Package) apporte de notables améliorations en terme de performances vis à vis dune solution dantenne totalement intégrée sur silicium (approche System On Chip). Lidée est doptimiser dune part lintégration du front-end millimétrique, et dautre part dexploiter
lenvironnement immédiat de lantenne, en loccurrence le boîtier, pour atteindre des niveaux de rendement compatibles avec les spécifications dune application de type capteur radar à courte portée. Les résultats dune antenne utilisant un substrat commercial (RT/duroid 6006 : er~6, h = 127Am) sont présentés (efficacité de
rayonnement : 45% , Gain 2.93dBi)