TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Acta Physica Polonica A Année : 2009

TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs

J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
N. Reckinger
  • Fonction : Auteur
Dmitri Yarekha
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00472000 , version 1 (09-04-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00472000 , version 1

Citer

J. Ratajczak, A. Laszcz, A. Czerwinski, J. Katcki, Xing Tang, et al.. TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs. Acta Physica Polonica A, 2009, 116, pp.89-91. ⟨hal-00472000⟩
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