Article Dans Une Revue
Acta Physica Polonica A
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00472000
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-11:28:18
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00472000 , version 1
Citer
J. Ratajczak, A. Laszcz, A. Czerwinski, J. Katcki, Xing Tang, et al.. TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs. Acta Physica Polonica A, 2009, 116, pp.89-91. ⟨hal-00472000⟩
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