UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2009

UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET

Dmitri Yarekha
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
S. Godey
X. Wallart
Caroline Soyer
N. Reckinger
  • Fonction : Auteur
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Halimaoui
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00471999 , version 1 (09-04-2010)

Identifiants

Citer

Dmitri Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, Emmanuel Dubois, S. Godey, et al.. UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET. ECS Transactions, 2009, 19, pp.339-344. ⟨10.1149/1.3118961⟩. ⟨hal-00471999⟩
37 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More