UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2009

UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET

Dmitri Yarekha
Microélectronique Silicium - IEMN
G. Larrieu
Microélectronique Silicium - IEMN
N. Breil
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Microélectronique Silicium - IEMN
Emmanuel Dubois
Microélectronique Silicium - IEMN
CV
S. Godey
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN
X. Wallart
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
Caroline Soyer
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN
Denis Remiens
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN
N. Reckinger
  • Fonction : Auteur
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain
A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
Institute of Electron Technology, A1. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
Institute of Electron Technology, A1. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
A. Halimaoui
  • Fonction : Auteur
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Dmitri Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, Emmanuel Dubois, S. Godey, et al.. UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET. ECS Transactions, 2009, 19, pp.339-344. ⟨10.1149/1.3118961⟩. ⟨hal-00471999⟩

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