Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00471909
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-10:36:30
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00471909 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/24/12/125014
Citer
F.J. Ferrer, E. Moreau, D. Vignaud, S. Godey, X. Wallart. Atomic scale flattening, step formation and graphitization blocking on 6H-and 4H-SiC{0001} surfaces under Si flux. Semiconductor Science and Technology, 2009, 24, pp.125014-1-4. ⟨10.1088/0268-1242/24/12/125014⟩. ⟨hal-00471909⟩
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