Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2009

Optimization of RF performance of metallic source/drain SOI MOSFETs using dopant segregation at the Schottky interface

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hal-00471810 , version 1 (24-09-2024)

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R. Valentin, Emmanuel Dubois, G. Larrieu, J.P. Raskin, Gilles Dambrine, et al.. Optimization of RF performance of metallic source/drain SOI MOSFETs using dopant segregation at the Schottky interface. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1197-1199. ⟨10.1109/LED.2009.2031254⟩. ⟨hal-00471810⟩
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