Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00471807
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-08:15:52
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
T.C. Lim, O. Rozeau, C. Buj, M. Paccaud, Sylvie Lepilliet, et al.. High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack. Solid-State Electronics, 2009, 53, pp.433-437. ⟨10.1016/j.sse.2008.09.022⟩. ⟨hal-00471807⟩
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