High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2009

High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack

T.C. Lim
  • Fonction : Auteur
O. Rozeau
  • Fonction : Auteur
C. Buj
  • Fonction : Auteur
M. Paccaud
  • Fonction : Auteur
Sylvie Lepilliet
Gilles Dambrine

Dates et versions

hal-00471807 , version 1 (09-04-2010)

Identifiants

Citer

T.C. Lim, O. Rozeau, C. Buj, M. Paccaud, Sylvie Lepilliet, et al.. High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack. Solid-State Electronics, 2009, 53, pp.433-437. ⟨10.1016/j.sse.2008.09.022⟩. ⟨hal-00471807⟩
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