Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00471806
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-08:15:51
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
E. Bernard, T. Ernst, B. Guillaumot, N. Vulliet, T.C. Lim, et al.. First internal spacers' introduction in record high I-ON/I-OFF TiN/HfO2 gate multichannel MOSFET satisfying both high-performance and low standby power requirements. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.148-151. ⟨10.1109/LED.2008.2009008⟩. ⟨hal-00471806⟩
Collections
69
Consultations
0
Téléchargements