First internal spacers' introduction in record high I-ON/I-OFF TiN/HfO2 gate multichannel MOSFET satisfying both high-performance and low standby power requirements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2009

First internal spacers' introduction in record high I-ON/I-OFF TiN/HfO2 gate multichannel MOSFET satisfying both high-performance and low standby power requirements

E. Bernard
  • Fonction : Auteur
T. Ernst
  • Fonction : Auteur
B. Guillaumot
  • Fonction : Auteur
N. Vulliet
  • Fonction : Auteur
T.C. Lim
  • Fonction : Auteur
O. Rozeau
  • Fonction : Auteur
P. Coronel
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00471806 , version 1 (09-04-2010)

Identifiants

Citer

E. Bernard, T. Ernst, B. Guillaumot, N. Vulliet, T.C. Lim, et al.. First internal spacers' introduction in record high I-ON/I-OFF TiN/HfO2 gate multichannel MOSFET satisfying both high-performance and low standby power requirements. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.148-151. ⟨10.1109/LED.2008.2009008⟩. ⟨hal-00471806⟩
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