Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00469683
Soumis le : vendredi 2 avril 2010-11:31:41
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Emam, P. Sakalas, D. Vanhoenacker-Janvier, J.P. Raskin, T.C. Lim, et al.. Experimental investigation of RF noise performance improvement in graded-channel MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56, pp.1516-1522. ⟨10.1109/TED.2009.2021361⟩. ⟨hal-00469683⟩
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