Electro-thermal behaviour of a SiC JFET stressed by lightning-induced overvoltages - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Electro-thermal behaviour of a SiC JFET stressed by lightning-induced overvoltages

Dominique Bergogne
  • Fonction : Auteur correspondant
  • PersonId : 859349

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Dominique Tournier
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Cyril Buttay
Youness Amieh
  • Fonction : Auteur
Pascal Bevilacqua
  • Fonction : Auteur
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Hervé Morel
Bruno Allard

Résumé

JFET are experimentally stressed to provide data for modelling, inverter and driver design. The experimental set-up is described. A surge generator is built and a SiC JFET is stressed. During the stress, a temperature estimation is done at increasing time steps, in order to obtain the full thermal response versus time.
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Dates et versions

hal-00446059 , version 1 (11-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00446059 , version 1

Citer

Dominique Bergogne, Asif Hammoud, Dominique Tournier, Cyril Buttay, Youness Amieh, et al.. Electro-thermal behaviour of a SiC JFET stressed by lightning-induced overvoltages. EPE, Sep 2009, Barcelone, France. pp.1--8. ⟨hal-00446059⟩
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