Undoped and arsenic doped low temperature (165°C) microcrystalline silicon for electronic device process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00437313 , version 1 (30-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00437313 , version 1

Citer

Khalid Kandoussi, Claude Simon, Nathalie . Coulon, Tayeb Mohammed-Brahim, Alain Moréac. Undoped and arsenic doped low temperature (165°C) microcrystalline silicon for electronic device process. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, 352 (9-20), pp.968-971. ⟨hal-00437313⟩
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