Characterization of GaAs1-xNx Epitaxial Layers Grown by ALD (atomic layer deposition) method - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Characterization of GaAs1-xNx Epitaxial Layers Grown by ALD (atomic layer deposition) method

C. Pelosi
  • Fonction : Auteur
N. N. Musayeva
  • Fonction : Auteur
M. Bosi
  • Fonction : Auteur
Bernard Clerjaud
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
Paul Bénalloul
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
Carlos Barthou
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
G. Attolini
  • Fonction : Auteur
M. Bersani
  • Fonction : Auteur
Rasim B. Jabbarov
  • Fonction : Auteur
Institute of Physics of Azerbaijan
S. Abdullayeva
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00431619

Soumis le : jeudi 12 novembre 2009-16:07:28

Dernière modification le : mercredi 7 février 2024-16:20:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00431619 , version 1 (12-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00431619 , version 1

Citer

C. Pelosi, N. N. Musayeva, M. Bosi, Bernard Clerjaud, Paul Bénalloul, et al.. Characterization of GaAs1-xNx Epitaxial Layers Grown by ALD (atomic layer deposition) method. 9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies, 2009, Poland. ⟨hal-00431619⟩

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