GaInPN/Si Heterostructure Growth by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Fizika Année : 2009

GaInPN/Si Heterostructure Growth by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy

S. Abdullayeva
  • Fonction : Auteur
N. N. Musayeva
  • Fonction : Auteur
Rasim B. Jabbarov
  • Fonction : Auteur
Institute of Physics of Azerbaijan
C. Pelosi
  • Fonction : Auteur
G. Attolini
  • Fonction : Auteur
M. Bosi
  • Fonction : Auteur
Bernard Clerjaud
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
Paul Bénalloul
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
Carlos Barthou
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris

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https://hal.science/hal-00430347

Soumis le : vendredi 6 novembre 2009-15:17:08

Dernière modification le : mercredi 7 février 2024-16:20:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00430347 , version 1 (06-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00430347 , version 1

Citer

S. Abdullayeva, N. N. Musayeva, Rasim B. Jabbarov, C. Pelosi, G. Attolini, et al.. GaInPN/Si Heterostructure Growth by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy. Fizika, 2009, 15, pp.18. ⟨hal-00430347⟩

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