Procédé de fabrication de transistors MOSFET complémentaires de type P et N, et dispositif électronique comprenant de tels transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif - Archive ouverte HAL
Brevet Année : 2009

Procédé de fabrication de transistors MOSFET complémentaires de type P et N, et dispositif électronique comprenant de tels transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif

G. Larrieu
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV

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https://hal.science/hal-00426616

Soumis le : mardi 27 octobre 2009-09:13:04

Dernière modification le : jeudi 19 septembre 2024-03:20:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00426616 , version 1 (27-10-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00426616 , version 1

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois. Procédé de fabrication de transistors MOSFET complémentaires de type P et N, et dispositif électronique comprenant de tels transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif. N° de brevet: FR2930073 (A1). 2009. ⟨hal-00426616⟩

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