Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Nathalie Labat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00415763
Soumis le : jeudi 10 septembre 2009-19:23:49
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00415763 , version 1
Citer
M. Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, G. Meneghesso, et al.. Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs. 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, May 2008, Leuven, Belgium. ⟨hal-00415763⟩
Collections
49
Consultations
0
Téléchargements