MOVPE growth of InGaN on ZnO-buffered Si(111) substrates for solar cells applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

MOVPE growth of InGaN on ZnO-buffered Si(111) substrates for solar cells applications

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00415609 , version 1 (10-09-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00415609 , version 1

Citer

T. Moudakir, S. Gautier, G. Orsal, N. Maloufi, D. J. Rogers, et al.. MOVPE growth of InGaN on ZnO-buffered Si(111) substrates for solar cells applications. EW-MOVPE XIII Conference, Jun 2009, Ulm, Germany. pp.249. ⟨hal-00415609⟩
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