Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Trends in dopant incorporation for 3C-SiC thin films on silicon. Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials

M. Zielinski
  • Fonction : Auteur
M. Portail
H. Peyre
T. Chassagne
  • Fonction : Auteur
S. Ndiaye
  • Fonction : Auteur
Bernard Boyer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 862266
A. Leycuras
  • Fonction : Auteur
J. Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839246
  • IdRef : 069193568

Domaines

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00412604 , version 1 (02-09-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00412604 , version 1

Citer

M. Zielinski, M. Portail, H. Peyre, T. Chassagne, S. Ndiaye, et al.. Trends in dopant incorporation for 3C-SiC thin films on silicon. Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. ECSCRM, 2007, Newcastle, France. pp.207-210. ⟨hal-00412604⟩
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