Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00401359 , version 1 (02-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00401359 , version 1

Citer

A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, M. Uren. Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir. GDR Semi-Conducteur Grand Gap, May 2004, Freyjus, France. ⟨hal-00401359⟩
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