Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Nathalie Labat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00401306
Soumis le : jeudi 2 juillet 2009-18:42:36
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00401306 , version 1
Citer
Ludovic Lacheze, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT. 33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009, May 2008, Malaga, Spain. ⟨hal-00401306⟩
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