Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00401306 , version 1 (02-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00401306 , version 1

Citer

Ludovic Lacheze, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT. 33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009, May 2008, Malaga, Spain. ⟨hal-00401306⟩
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