Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Nathalie Labat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00401301
Soumis le : jeudi 2 juillet 2009-18:32:09
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00401301 , version 1
Citer
Mustapha Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, F. Rampazzo, et al.. Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs. 32th workshop on Compound semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE, Jun 2008, Leuven, Belgium. pp.111-112. ⟨hal-00401301⟩
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