Correlation between quality of µc-Si film deposited at low temperature (<180 °C) by PECVD and TFTs characteristics - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Correlation between quality of µc-Si film deposited at low temperature (<180 °C) by PECVD and TFTs characteristics

Yolande Sambin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00397806

Soumis le : mardi 23 juin 2009-12:17:52

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397806 , version 1 (23-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397806 , version 1

Citer

Rabah Cherfi, Khalid Kandoussi, Abdelkrim Fedala, Khaled Belarbi, Nathalie . Coulon, et al.. Correlation between quality of µc-Si film deposited at low temperature (<180 °C) by PECVD and TFTs characteristics. International Thin Film Transistors Conference ITC'2009, Mar 2009, Paris, France. ⟨hal-00397806⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UNIV-NANTES UNIV-RENNES1 CNRS INSA-RENNES IETR UR1-MATH-STIC UR1-UFR-ISTIC IETR-MM UNIV-RENNES INSA-GROUPE UR1-MATH-NUM NANTES-UNIVERSITE
67 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More