Radiation Hardened by Design RF Circuits Implemented in 0.13µm CMOS Technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2006

Radiation Hardened by Design RF Circuits Implemented in 0.13µm CMOS Technology

W. M. Chen
  • Fonction : Auteur
G.K. Gentry
  • Fonction : Auteur
H. J. Barnaby
  • Fonction : Auteur
B. Vermeire
  • Fonction : Auteur
B. Bakkaloglu
  • Fonction : Auteur
K. Kiaei
  • Fonction : Auteur
K.E. Holbert
  • Fonction : Auteur

Résumé

Two important RF building blocks, a low noise amplifier and a voltage-controlled oscillator, were designed and fabricated in a 0.13 mum CMOS process using radiation-hardened by design techniques. Both circuits exhibit only minimal degradation with total dose when the parts are irradiated up to 500 krad (SiO2). Laser beam testing results indicate that the output spectrum of the two circuits has no noticeable change with laser energy up to 200 pJ

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397725 , version 1 (23-06-2009)

Identifiants

Citer

W. M. Chen, Vincent Pouget, G.K. Gentry, H. J. Barnaby, B. Vermeire, et al.. Radiation Hardened by Design RF Circuits Implemented in 0.13µm CMOS Technology. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2006, 53 (6), pp.3449-3454. ⟨10.1109/TNS.2006.885009⟩. ⟨hal-00397725⟩
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