Plasma reactor dry cleaning strategy after TaC, MoN, WSi, W and WN etching processes - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2009

Plasma reactor dry cleaning strategy after TaC, MoN, WSi, W and WN etching processes

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00397116

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-15:37:08

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:40:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397116 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397116 , version 1

Citer

R. Ramos, G. Cunge, O. Joubert, T. Lill. Plasma reactor dry cleaning strategy after TaC, MoN, WSi, W and WN etching processes. Journal of Vacuum Science and Technology, 2009, B 27, pp.113-120. ⟨hal-00397116⟩

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