Characterization of bulk <111> 3C-SiC single crystals grown on 4H-SiC by the CF-PVT method - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Silicon carbide and related materials Année : 2006

Characterization of bulk <111> 3C-SiC single crystals grown on 4H-SiC by the CF-PVT method

D. Chaussende
C. Balloud
  • Fonction : Auteur
S. Juillaguet
  • Fonction : Auteur
L. Rapenne
E. Pernot
  • Fonction : Auteur
J. Camassel
  • Fonction : Auteur
M. Pons
R. Madar
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00394389 , version 1 (11-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00394389 , version 1

Citer

L. Latu-Romain, D. Chaussende, C. Balloud, S. Juillaguet, L. Rapenne, et al.. Characterization of bulk <111> 3C-SiC single crystals grown on 4H-SiC by the CF-PVT method. Silicon carbide and related materials, 2006, pp.527-529 / 99-102. ⟨hal-00394389⟩
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