Article Dans Une Revue
Silicon carbide and related materials
Année : 2006
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00394389
Soumis le : jeudi 11 juin 2009-15:10:29
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00394389 , version 1
Citer
L. Latu-Romain, D. Chaussende, C. Balloud, S. Juillaguet, L. Rapenne, et al.. Characterization of bulk <111> 3C-SiC single crystals grown on 4H-SiC by the CF-PVT method. Silicon carbide and related materials, 2006, pp.527-529 / 99-102. ⟨hal-00394389⟩
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