Front- and back-channel mobility in ultrathin SOI-MOSFETs by front-gate split CV method - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2007

Front- and back-channel mobility in ultrathin SOI-MOSFETs by front-gate split CV method

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00393599 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393599 , version 1

Citer

A. Ohata, M. Casse, S. Cristoloveanu. Front- and back-channel mobility in ultrathin SOI-MOSFETs by front-gate split CV method. Solid-State Electronics, 2007, 51(2), pp.245-251. ⟨hal-00393599⟩
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