Carrier mobility degradation due to high dose implantation in ultrathin unstrained and strained silicon-on-insulator films - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journ. Appl. Phys Année : 2007

Carrier mobility degradation due to high dose implantation in ultrathin unstrained and strained silicon-on-insulator films

C. Dupré
  • Fonction : Auteur
T. Ernst
  • Fonction : Auteur
J.-M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
F. Andrieu
  • Fonction : Auteur
J.-P. Barnes
  • Fonction : Auteur
P. Rivallin
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Pier-Francesco Fazzini
Alain Claverie
S. Cristoloveanu
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
Fuccio Cristiano
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : mardi 9 juin 2009-14:38:30

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:05:15

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Dates et versions

hal-00393080 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393080 , version 1

Citer

C. Dupré, T. Ernst, J.-M. Hartmann, F. Andrieu, J.-P. Barnes, et al.. Carrier mobility degradation due to high dose implantation in ultrathin unstrained and strained silicon-on-insulator films. Journ. Appl. Phys, 2007, 102 (10), pp.104505:1-8. ⟨hal-00393080⟩

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