Full-band study of current across silicon nanowire transistors - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2007

Full-band study of current across silicon nanowire transistors

K. Nehari
  • Fonction : Auteur
N. Cavassilas
  • Fonction : Auteur
Fabienne Michelini
M. Bescond
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Jean-Luc Autran
M. Lannoo
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00392816

Soumis le : mardi 9 juin 2009-10:15:08

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:32:43

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Dates et versions

hal-00392816 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392816 , version 1

Citer

K. Nehari, N. Cavassilas, Fabienne Michelini, M. Bescond, Jean-Luc Autran, et al.. Full-band study of current across silicon nanowire transistors. Applied Physics Letters, 2007, 90 (13), pp.132112:1-3. ⟨hal-00392816⟩

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