Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics

G. Molas
  • Fonction : Auteur
Marc Bocquet
CV
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
J.P. Colonna
  • Fonction : Auteur
L. Masarotto
  • Fonction : Auteur
C. Licitra
N. Rochat
  • Fonction : Auteur
T. Veyron
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
M. Gély
  • Fonction : Auteur
C. Bongiorno
  • Fonction : Auteur
S. Lombardo
  • Fonction : Auteur
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
B. de Salvo.
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00392559

Soumis le : lundi 8 juin 2009-14:08:56

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:54:43

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392559 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392559 , version 1

Citer

G. Molas, Marc Bocquet, H. Grampeix, J.P. Colonna, L. Masarotto, et al.. Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics. 5th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Austin, Texas, Sep 2008, Austin, United States. ⟨hal-00392559⟩

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