On the Role of a HTO/Al2O3 Bi-Layer Blocking Oxide in Nitride-Trap Non-Volatile Memories - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

On the Role of a HTO/Al2O3 Bi-Layer Blocking Oxide in Nitride-Trap Non-Volatile Memories

Marc Bocquet
CV
G. Molas
  • Fonction : Auteur
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
X. Garros
  • Fonction : Auteur
J. Buckley
M. Gély
  • Fonction : Auteur
J.-P. Colonna
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
V. Vidal
  • Fonction : Auteur
A. Toffoli
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00392558

Soumis le : lundi 8 juin 2009-14:07:02

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:13:26

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392558 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392558 , version 1

Citer

Marc Bocquet, G. Molas, L. Perniola, X. Garros, J. Buckley, et al.. On the Role of a HTO/Al2O3 Bi-Layer Blocking Oxide in Nitride-Trap Non-Volatile Memories. 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC'08), Edinburgh, UK, Sep 2008, Edinburgh, France. ⟨hal-00392558⟩

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